參數(shù)資料
型號： IRFIZ48N
廠商： International Rectifier
英文描述： N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： N溝道HEXFET功率MOSFET的（不適用溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應(yīng)管）
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代理商： IRFIZ48N
IRFIZ48N
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0
10
20
30
40
25
50
75
100
125
150
175
I
D
T , Case Temperature (°C)
A
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
A
T
P
t2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1
2
2. Peak J
DM
thJC
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFL014N 55V,1.9A, N-Channel HEXFET Power MOSFET(55V,1.9A,N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
IRFL1006 N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
IRFN350 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.315ohm, Id=14A)
IRFN3710 TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.028ohm, Id=45A)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFIZ48NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 36A 16mOhm 59.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIZ48NPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 55V, 36A TO-220FP
IRFIZ48V 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 60V, 39A, 12 mOhm, 73.3 nC Qg, TO-220 FULLPACK
IRFIZ48VPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 39A 12mOhm 73.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFJ120 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-213AA
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