參數(shù)資料
型號(hào)： IRFN450
廠商： International Rectifier
英文描述： POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.415ohm, Id=12A)
中文描述： 功率MOSFET N溝道（BVdss \u003d 500V及的Rds（on）\u003d 0.415ohm，身份證\u003d 12A條）
文件頁數(shù)： 5/6頁
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代理商： IRFN450
IRFN450 Device
Fig. 12c — Max. Avalanche Energy vs. Current
Fig. 13a — Gate Charge Test Circuit
Fig. 12a — Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b — Unclamped Inductive Waveforms
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T = P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig. 11 — Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case Vs. Pulse Duration
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PDF描述
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