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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFNG40 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=1000V, Rds(on)=3.5ohm, Id=3.9A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET N溝道（BVdss \u003d 1000V的的Rds（on）\u003d 3.5ohm，身份證\u003d 3.9A） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 212K |
| 代理商： | IRFNG40 |
IRFNG40 Device
Fig. 12c — Max. Avalanche Energy vs. Current
Fig. 13a — Gate Charge Test Circuit
Fig. 12a — Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b — Unclamped Inductive Waveforms
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T = P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
(THSINGLE PULSE
Fig. 11 — Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case Vs. Pulse Duration
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PDF描述 |
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