參數(shù)資料
型號： IRFP150
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 40A, 100V, 0.055 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(40A, 100V, 0.055 Ohm,N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 40 A, 100 V, 0.055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大小： 71K
代理商： IRFP150
3
Source to Drain Diode Specifications
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Continuous Source to Drain Current
I
SD
I
SDM
Modified MOSFET
Symbol Showing the
Integral Reverse P-N
Junction Diode
-
-
40
A
Pulse Source to Drain Current (Note 3)
-
-
170
A
Source to Drain Diode Voltage (Note 2)
V
SD
t
rr
Q
RR
T
J
= 25
o
C, I
SD
= 40A, V
GS
= 0V (Figure 13)
T
J
= 25
o
C, I
SD
= 40A, dI
SD
/dt = 100A/
μ
s
T
J
= 25
o
C, I
SD
= 40A, dI
SD
/dt = 100A/
μ
s
-
-
2.5
V
Reverse Recovery Time
98
-
530
ns
Reverse Recovered Charge
0.41
-
2.5
μ
C
NOTES:
2. Pulse Test: Pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
3. Repetitive Rating: Pulse width limited by Max junction temperature. See Transient Thermal Impedance curve (Figure 3).
4. V
DD
= 10V, starting T
J
= 25
o
C, L = 170
μ
H, R
G
= 50
, Peak I
AS
= 40A.
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
G
D
S
0
50
100
150
0
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
50
75
100
25
150
50
40
30
0
20
I
D
D
10
125
Z
θ
J
,
1
0.1
10
-2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
0.1
1
10
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (S)
10
-3
SINGLE PULSE
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
NOTES:
t
2
P
DM
t
1
t
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
IRFP150
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