參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP150
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 40A, 100V, 0.055 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(40A, 100V, 0.055 Ohm,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 40 A, 100 V, 0.055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： IRFP150
4
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. OUTPUT CHARACTERISTICS
FIGURE 6. SATURATION CHARACTERISTICS
FIGURE 7. TRANSFER CHARACTERISTICS
FIGURE 8. DRAIN TO SOURCE ON RESISTANCE vs GATE
VOLTAGE AND DRAIN CURRENT
FIGURE 9. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
10
2
10
1
10
10
2
1
I
D
,
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
μ
s
100
μ
s
1ms
10ms
10
3
OPERATION IN THIS
REGION IS LIMITED
BY r
DS(ON)
10
3
T
= MAX RATED
SINGLE PULSE
T
C
= 25
o
C
DC
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
20
30
40
0
50
60
48
36
0
24
I
D
,
V
GS
= 5.0V
V
GS
= 6.0V
V
GS
= 4.0V
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
12
V
GS
= 7.0V
V
GS
= 10V
V
GS
= 8V
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
3
4
0
5
60
48
36
0
24
I
D
,
12
V
GS
= 8V
V
GS
= 5V
V
GS
= 6V
V
GS
= 4V
V
GS
= 7V
V
GS
= 10V
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I
D
,
V
SD
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
100
10
1
0.1
0
2
4
6
8
10
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DS
= 20V
120
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
30
60
90
0
150
0.40
0.32
0.24
0
0.16
r
D
,
V
GS
= 20V
0.08
V
GS
= 10V
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
2.5
1.5
0.5
80
-60
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
2.0
1.0
0
0
60
120
160
O
-20
-40
20
40
100
140
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I
D
= 22A, V
GS
= 10V
IRFP150
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