參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP250
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 33A, 200V, 0.085 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(33A, 200V, 0.085 Ohm,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 33 A, 200 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 55K
代理商： IRFP250
4-327
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
N
1.25
1.05
0.95
0.85
0.75
-40
0
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
120
160
1.15
80
I
D
= 250
μ
A
B
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
7500
6000
4500
3000
1500
01
2
5
10
2
5
10
2
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
25
20
15
10
5
00
10
20
30
40
50
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DS
≥
50V
0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
10
3
10
2
10
1
I
S
,
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
25
50
75
100
125
I
D
= 30A
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
20
16
12
8
4
0
V
DS
= 100V
V
DS
= 40V
V
DS
= 160V
IRFP250
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP254 Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
IRFP254 Power MOSFET(Vdss = 250 V, Rds(on)=0.14ohm, Id=23A)
IRFP264 N-Channel Enhancement Mode Standard Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓250V,導(dǎo)通電阻0.075Ω的N溝道增強(qiáng)型標(biāo)準(zhǔn)功率MOSFET)
IRFP340 11A, 400V, 0.550 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(11A, 400V, 0.550 Ohm,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFP250A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRFP250B 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
IRFP250B_FP001 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP250B_FP001_Q 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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