參數(shù)資料
型號： IRFP31N50L
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.15ohm, Id=31A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds（on）典型.\u003d 0.15ohm，身份證\u003d 31A條）
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代理商： IRFP31N50L
IRFP31N50L
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
40
80
120
160
0
4
8
12
16
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I =
31A
V
= 100V
DS
V
= 250V
DS
V
= 400V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
°
1
10
100
1000
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150 °
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
100000
1000000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR3707PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFRU3707PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFR3708PBF HEXFET㈢Power MOSFET
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IRFR3709ZCPBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRFP31N50LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 31 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP3206PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP32N50 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.135ohm, Id=32A)
IRFP32N50K 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 32 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP32N50K_04 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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