參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP31N50L
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.15ohm, Id=31A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds（on）典型.\u003d 0.15ohm，身份證\u003d 31A條）
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大小： 95K
代理商： IRFP31N50L
IRFP31N50L
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFET
Power MOSFETs
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR3707PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFRU3707PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFR3708PBF HEXFET㈢Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRFP31N50LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 31 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP3206PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP32N50 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.135ohm, Id=32A)
IRFP32N50K 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 32 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP32N50K_04 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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