參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP450LC
廠商： International Rectifier
英文描述： 500V,14A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(500V,14A,N溝道 HEXFET功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 的500V，14A條，N溝道HEXFET功率MOSFET（500V及14A條，?溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： IRFP450LC
IRFP450LC
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0
4
8
12
16
20
0
20
40
60
80
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = 14A
V = 400V
V = 250V
V = 100V
0
1000
2000
3000
4000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0.1
1
10
100
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
T = 25°C
T = 150°C
Single Pulse
100μs
1ms
10ms
A
10μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRGPC46 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247AC
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參數(shù)描述
IRFP450LCPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP450N 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-247AC
IRFP450NPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP450PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP450PBF 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFET
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