參數資料
型號： IRFR3706
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=75A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）最大值\u003d 9.0mohm，身份證\u003d 75A條）
文件頁數： 4/10頁
文件大?。?/td> 133K
代理商： IRFR3706
IRFR/U3706
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
1
10
100
1000
1
10
100
BY R
DS(on)
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
10
Q , Total Gate Charge (nC)
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
V
G
I =
28A
V
= 10V
DS
V
= 16V
DS
相關PDF資料
PDF描述
IRFR3706TRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-252AA
IRFR3706TRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-252AA
IRFR3707Z HEXFET Power MOSFET
IRFU3707Z HEXFET Power MOSFET
IRFR3709ZPBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 640; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 159; Grade: -3; Package: Lead-Free ftBGA; Pins: 256; Temp.: AUTO
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFR3706C 制造商:KERSEMI 制造商全稱:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:SMPS MOSFET
IRFR3706CPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR3706CTRLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR3706CTRR 制造商:KERSEMI 制造商全稱:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:High Frequency Isolated DC-DC Converters
IRFR3706CTRRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*