型號: | IRFR3706 |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=75A) |
中文描述: | 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 20V的,的Rds(on)最大值\u003d 9.0mohm,身份證\u003d 75A條) |
文件頁數(shù): | 5/10頁 |
文件大?。?/td> | 133K |
代理商: | IRFR3706 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFR3706TRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-252AA |
IRFR3706TRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-252AA |
IRFR3707Z | HEXFET Power MOSFET |
IRFU3707Z | HEXFET Power MOSFET |
IRFR3709ZPBF | LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 640; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 159; Grade: -3; Package: Lead-Free ftBGA; Pins: 256; Temp.: AUTO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFR3706C | 制造商:KERSEMI 制造商全稱:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:SMPS MOSFET |
IRFR3706CPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRFR3706CTRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRFR3706CTRR | 制造商:KERSEMI 制造商全稱:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:High Frequency Isolated DC-DC Converters |
IRFR3706CTRRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |