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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFRU5410 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 100V的，的Rds（on）\u003d 0.205ohm，身份證\u003d- 13A條） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 215K |
| 代理商： | IRFRU5410 |
IRFR/U5410
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.2
0.8
1.4
2.0
2.6
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
°
0
400
800
1200
1600
2000
1
10
100
C
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
-8.4A
V
=-20V
DS
V
=-50V
DS
V
=-80V
DS
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
I
10us
100us
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU5410 | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A) |
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| IRFU9020 | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
| IRFU9022 | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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