參數(shù)資料
型號(hào): IRFRU5410
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d- 100V的,的Rds(on)\u003d 0.205ohm,身份證\u003d- 13A條)
文件頁(yè)數(shù): 5/10頁(yè)
文件大小: 215K
代理商: IRFRU5410
IRFR/U5410
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
-10V
Pulse Width
£ 1
μs
Duty Factor
£ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
3
6
9
12
15
-
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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