參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS23N15D
廠商： International Rectifier
元件分類： DC/DC變換器
英文描述： 150V,23A,SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(150V,23A,開關(guān)電源 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，用于高頻DC-DC變換器)
中文描述： 為150V，23A條，開關(guān)電源的MOSFET的高頻率DC - DC轉(zhuǎn)換器（為150V，23A條，開關(guān)電源馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管，用于高頻的DC - DC變換器）
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
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代理商： IRFS23N15D
IRFB/IRFS/IRFSL23N15D
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
11
–––
–––
37 56 I
D
= 14A
–––
9.6
14
–––
19
29
–––
10
–––
–––
32
–––
–––
18
–––
–––
8.4
–––
–––
1200
–––
–––
260
–––
–––
65
–––
–––
1520
–––
–––
120
–––
–––
210
–––
Conditions
V
DS
= 25V, I
D
= 14A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
nC
V
DS
= 120V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 75V
I
D
= 14A
R
G
= 5.1
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 120V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 120V
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
260
14
13.6
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 14A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 14A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
150
0.8
1.3
220
1.2
V
ns
μC
Diode Characteristics
23
92
A
Min. Typ. Max. Units
150
–––
0.18 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
––– 0.090
V
GS
= 10V, I
D
= 14A
3.0
–––
5.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
–––
–––
25
μA
–––
–––
250
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
–––
–––
100
V
GS
= 30V
–––
–––
-100
V
GS
= -30V
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
1.1
–––
62
40
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient
°C/W
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PDF描述
IRFB23N15 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)
IRFB23N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)
IRFSL23N15D 150V,23A,SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(150V,23A,開關(guān)電源 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，用于高頻DC-DC變換器)
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IRFSL23N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)
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IRFS23N15DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 150V, RDS(ON) 0.09Ohm, ID 23A, D2Pak, PD 136W, VGS +/-30V, -55 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 23A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 150V, 23A, D2-PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D
IRFS23N15DTRLP 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 23A 90mOhm 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS23N20D 功能描述:MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFS23N20DPBF 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 100mOhms 57nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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