參數(shù)資料
型號(hào): IRFS23N15D
廠商: International Rectifier
元件分類: DC/DC變換器
英文描述: 150V,23A,SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(150V,23A,開關(guān)電源 MOS場(chǎng)效應(yīng)管,用于高頻DC-DC變換器)
中文描述: 為150V,23A條,開關(guān)電源的MOSFET的高頻率DC - DC轉(zhuǎn)換器(為150V,23A條,開關(guān)電源馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管,用于高頻的DC - DC變換器)
文件頁(yè)數(shù): 8/11頁(yè)
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代理商: IRFS23N15D
IRFB/IRFS/IRFSL23N15D
8
www.irf.com
LEA D A SSIGN MEN TS
1 - GATE
2 - D RA IN
3 - S OU RC E
4 - D RA IN
- B -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
3X
0.55 (.022)
0.46 (.018)
2.92 (.115)
2.64 (.104)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
4.06 (.160)
3.55 (.140)
1.15 (.045)
MIN
6.47 (.255)
6.10 (.240)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
- A -
10.54 (.415)
10.29 (.405)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
15.24 (.600)
14.84 (.584)
14.09 (.555)
13.47 (.530)
3X
1.40 (.055)
1.15 (.045)
2.54 (.100)
2X
0.36 (.014) M B A M
4
1 2 3
N OTE S:
1 D IME NS IONING & TOLE R ANC IN G P ER ANS I Y14.5M, 1982. 3 O UTLINE C ON FOR MS TO JED EC OU TLIN E TO-220A B.
2 C ON TR OLLIN G D IME NS ION : INC H 4 H EATS IN K & LEA D ME ASUR E MENTS D O NOT IN CLU DE BU R RS .
TO-220AB Part Marking Information
TO-220AB Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
EXAMPLE : THIS IS AN IRF1010
W ITH ASSEMBLY
LOT CODE 9B1M
ASSEMBLY
LOT CODE
DATE CODE
(YYW W )
YY = YEAR
W W = W EEK
9246
IRF1010
9B 1M
A
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PDF描述
IRFB23N15 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)
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IRFS23N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)
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IRFS23N15DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 150V, RDS(ON) 0.09Ohm, ID 23A, D2Pak, PD 136W, VGS +/-30V, -55 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 23A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 150V, 23A, D2-PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D
IRFS23N15DTRLP 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 23A 90mOhm 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS23N20D 功能描述:MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFS23N20DPBF 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 100mOhms 57nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube