參數(shù)資料
型號： IRFS23N15D
廠商： International Rectifier
元件分類： DC/DC變換器
英文描述： 150V,23A,SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(150V,23A,開關(guān)電源 MOS場效應(yīng)管，用于高頻DC-DC變換器)
中文描述： 為150V，23A條，開關(guān)電源的MOSFET的高頻率DC - DC轉(zhuǎn)換器（為150V，23A條，開關(guān)電源馬鞍山場效應(yīng)管，用于高頻的DC - DC變換器）
文件頁數(shù)： 7/11頁
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代理商： IRFS23N15D
IRFB/IRFS/IRFSL23N15D
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFET
Power MOSFETs
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFB23N15 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)
IRFB23N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)
IRFSL23N15D 150V,23A,SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(150V,23A,開關(guān)電源 MOS場效應(yīng)管，用于高頻DC-DC變換器)
IRFS23N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)
IRFSL23N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFS23N15DHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRFS23N15DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 150V, RDS(ON) 0.09Ohm, ID 23A, D2Pak, PD 136W, VGS +/-30V, -55 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 23A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 150V, 23A, D2-PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D
IRFS23N15DTRLP 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 23A 90mOhm 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS23N20D 功能描述:MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFS23N20DPBF 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 100mOhms 57nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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