參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS4227PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： PDP SWITCH
中文描述： 等離子開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
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代理商： IRFS4227PBF
4
www.irf.com
Fig 11.
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 8.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 12.
Maximum Safe Operating Area
Fig 7.
Typical E
PULSE
vs.Temperature
Fig 10.
Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage
Fig 9.
Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
25
50
75
100
125
150
Temperature (°C)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
E
L = 220nH
C= 0.4μF
C= 0.3μF
C= 0.2μF
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
2000
4000
6000
8000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
20
40
60
80
100
120
QG Total Gate Charge (nC)
0
4
8
12
16
20
VG
VDS= 160V
VDS= 100V
VDS= 40V
ID= 46A
1
10
100
1000
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1μsec
10μsec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
25
50
75
100
125
150
175
TC , CaseTemperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
70
ID
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IRFS4228PBF 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH PDP SWITCH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS4228TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRFS4229TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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