參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS4227PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： PDP SWITCH
中文描述： 等離子開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 309K
代理商： IRFS4227PBF
www.irf.com
5
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Fig 17.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 15.
Threshold Voltage vs. Temperature
Fig 14.
Maximum Avalanche Energy Vs. Temperature
Fig 13.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 16.
Typical Repetitive peak Current vs.
Case temperature
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.08698 0.000074
0.2112 0.001316
0.1506 0.009395
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci
τ
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
VG
ID = 250μA
25
50
75
100
125
150
175
Case Temperature (°C)
0
40
80
120
160
200
R
ton= 1μs
Duty cycle = 0.25
Half Sine Wave
Square Pulse
5
6
7
8
9
10
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
RD
)
TJ = 25°C
TJ = 125°C
ID = 46A
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
EA
ID
TOP
8.5A
14A
BOTTOM
37A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS4310PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRFSL4310PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRFS4410PBF HEXFET Power MOSFET
IRFSL4410PbF HEXFET Power MOSFET
IRFS4610PbF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFS4227TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS4228PBF 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH PDP SWITCH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS4228TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS4229PBF 功能描述:MOSFET 250V 1 N-CH HEXFET PDP SWITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS4229TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*