型號: | IRFSL3507PBF |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFET㈢Power MOSFET |
中文描述: | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
文件頁數(shù): | 6/12頁 |
文件大?。?/td> | 439K |
代理商: | IRFSL3507PBF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFS38N20DTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-263AB |
IRFS38N20DTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-263AB |
IRFB38N20D | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A) |
IRFS38N20D | RECT, 1A, 200V, ULTRAFAST, 50NS, SM |
IRFSL38N20D | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFSL3607PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFSL3806PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFSL38N20D | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A) |
IRFSL38N20DPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 200V, 44A, 54 MOHM, 60 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 38A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 200V D2-PAK |
IRFSL4010PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |