參數(shù)資料
型號： IRFSL38N20D
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）最大值\u003d 0.054ohm，身份證\u003d 44A條）
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大小： 133K
代理商： IRFSL38N20D
IRFB/IRFS/IRFSL38N20D
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFET
Power MOSFETs
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關PDF資料
PDF描述
IRFS4229PBF PDP SWITCH
IRFS4310 HEXFET Power MOSFET
IRFB4310 HEXFET Power MOSFET
IRFSL4310 HEXFET Power MOSFET
IRFS4610 IRFB4610 IRFS4610 IRFSL4610
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFSL38N20DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 200V, 44A, 54 MOHM, 60 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 38A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 200V D2-PAK
IRFSL4010PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL4020PBF 功能描述:MOSFET Audio MOSFT 200V 18A 105mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL4115PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL4127PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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