參數(shù)資料
型號(hào)： IRFSL4710
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100伏時(shí)，RDS（on）的最大值\u003d 0.014ohm，身份證\u003d 75A條）
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 245K
代理商： IRFSL4710
IRFB/IRFS/IRFL4710
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
35
–––
–––
110 170 I
D
= 45A
–––
43
–––
–––
40
–––
–––
35
–––
–––
130
–––
–––
41
–––
–––
38
–––
–––
6160 –––
–––
440
–––
–––
250
–––
–––
1580 –––
–––
280
–––
–––
430
–––
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 45A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
nC
V
DS
= 50V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 50V
I
D
= 45A
R
G
= 4.5
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 80V
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
190
45
20
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 45A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 45A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
74
180
1.3
110
260
V
ns
nC
Diode Characteristics
75
300
A
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.11 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
Min. Typ. Max. Units
100
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
–––
3.5
0.011 0.014
–––
–––
–––
–––
–––
V
V
GS
= 10V, I
D
= 45A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 95V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
5.5
1.0
250
100
-100
μA
–––
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
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PDF描述
IRFS4710 Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)
IRFB4710 Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)
IRFSL52N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFB52N15 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFS52N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
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參數(shù)描述
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IRFSL4710PBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFSL52N15D 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFSL52N15DPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFSL5615PBF 功能描述:MOSFET Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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