參數(shù)資料
型號: IRFSL4710
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 100伏時,RDS(on)的最大值\u003d 0.014ohm,身份證\u003d 75A條)
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代理商: IRFSL4710
IRFB/IRFS/IRFL4710
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
25
50
75
100
125
150
175
0
50
100
150
200
250
300
350
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
BOTTOM
ID
18A
32A
45A
TOP
RG
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VD S
+
-VDD
DRIVER
A
15V
20V
GS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS4710 Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)
IRFB4710 Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)
IRFSL52N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFB52N15 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFS52N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
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參數(shù)描述
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IRFSL4710PBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFSL52N15D 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFSL52N15DPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFSL5615PBF 功能描述:MOSFET Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube