參數(shù)資料
型號： IRFU3708
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET for High Frequency DC-DC Isolated Converters(用于高頻DC-DC隔離轉(zhuǎn)換器的N溝道HEXFET功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET的高頻率的DC - DC隔離轉(zhuǎn)換器（用于高頻的DC - DC隔離轉(zhuǎn)換器的?溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 129K
代理商： IRFU3708
IRFR/U3708
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
1
10
100
0
700
1400
2100
2800
3500
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
10
Q , Total Gate Charge (nC)
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
V
G
I =
24.8A
V
= 15V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.8
1.4
2.0
2.6
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25 C
°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR3708 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12.5mohm, Id=61A)
IRFU3709PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRFU3711 RES 475-OHM 1% 0.25W 100PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA
IRFR3711 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.5mohm, Id=110A)
IRFR3711TR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU3708PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 61A 12.5mOhm 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU3709 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU3709PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 30V 90A I-PAK
IRFU3709Z 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFU3709Z-701P 功能描述:MOSFET N-CH 30V 86A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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