參數(shù)資料
型號： IRFU3709PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 173K
代理商： IRFU3709PBF
www.irf.com
1
12/06/04
IRFU3709PbF
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
R
DS(on)
max
9.0m
V
DSS
30V
I
D
90A
Notes
through are on page 9
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 100°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
C
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
C
= 100°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.96 mW/°C
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
30
Units
V
Drain-Source Voltage
±20 V
90
57
360
120
48
A
W
W
-55 to + 150
°C
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
1.04
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
Applications
High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Lead-Free
Benefits
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low RDS(on) at 4.5V V
GS
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
I-Pak
IRFU3709
PD - 95519A
相關PDF資料
PDF描述
IRFU3711 RES 475-OHM 1% 0.25W 100PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA
IRFR3711 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.5mohm, Id=110A)
IRFR3711TR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-252AA
IRFR3711TRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-252AA
IRFR3711TRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-252AA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFU3709ZPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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