參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU3709ZPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 1200; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 73; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 100; Temp.: AUTO
中文描述： HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的RDS（on）最大值\u003d 650萬(wàn)ヘ，Qg和\u003d 17nC）
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大?。?/td> 274K
代理商： IRFU3709ZPBF
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 10.
Threshold Voltage vs. Temperature
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VG
ID = 250μA
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.810 0.000260
0.640 0.001697
0.451 0.021259
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci=
τ
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
ID
Limited By Package
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PDF描述
IRFR3710Z Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resi
IRFU3710Z Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resi
IRFR3711PBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRFU3710ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU3710ZPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POWER DISSIPATION:140W
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