參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU3709ZPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 1200; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 73; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 100; Temp.: AUTO
中文描述： HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的RDS（on）最大值\u003d 650萬(wàn)ヘ，Qg和\u003d 17nC）
文件頁(yè)數(shù)： 9/12頁(yè)
文件大?。?/td> 274K
代理商： IRFU3709ZPBF
www.irf.com
9
0-.
12
IN THE ASSEMBLY LINE "A"
ASSEMBLED ON WW 16, 1999
EXAMPLE:
WITH ASSEMBLY
LOT CODE 1234
THIS IS AN IRFR120
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
LINE A
DATE CODE
PART NUMBER
LOGO
INTERNATIONAL
RECTIFIER
ASSEMBLY
LOT CODE
916A
34
IRFU120
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
A = ASSEMBLY SITE CODE
DATE CODE
P = DESIGNATES LEAD-FREE
PRODUCT (OPTIONAL)
OR
Note: "P" in assembly line position
indicates "Lead-Free"
12
34
PART NUMBER
IRFU120
LOGO
LOT CODE
ASSEMBLY
INTERNATIONAL
RECTIFIER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR3710Z Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resi
IRFU3710Z Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resi
IRFR3711PBF HEXFET Power MOSFET
IRFU3711PBF HEXFET Power MOSFET
IRFR3711ZPBF Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5.1 to 5.3; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU3709ZPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRFU3710Z 功能描述:MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU3710Z-701P 功能描述:MOSFET N-CH 100V 42A IPAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU3710ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU3710ZPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POWER DISSIPATION:140W
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