參數資料
型號： IRFU3710Z
廠商： International Rectifier
英文描述： Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resi
中文描述： 專門為汽車應用而設計的，這HEXFET功率MOSFET的采用最新的處理技術，實現極低的性佝僂病
文件頁數： 3/11頁
文件大小： 214K
代理商： IRFU3710Z
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Typical Forward Transconductance
vs. Drain Current
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
VGS
TOP
BOTTOM
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
4.0V
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
4.0V
VGS
TOP
BOTTOM
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1.0
10
100
1000
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 25V
60μs PULSE WIDTH
0
10
20
30
40
50
60
70
80
ID,Drain-to-Source Current (A)
0
20
40
60
80
100
Gf
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 10V
相關PDF資料
PDF描述
IRFR3711PBF HEXFET Power MOSFET
IRFU3711PBF HEXFET Power MOSFET
IRFR3711ZPBF Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5.1 to 5.3; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
IRFU3711ZPBF Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5.2 to 5.5; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
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參數描述
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