參數(shù)資料
型號： IRFU3710Z
廠商： International Rectifier
英文描述： Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resi
中文描述： 專門為汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，這HEXFET功率MOSFET的采用最新的處理技術(shù)，實(shí)現(xiàn)極低的性佝僂病
文件頁數(shù)： 6/11頁
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代理商： IRFU3710Z
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
700
EA
ID
TOP 3.4A
4.8A
BOTTOM33A
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
1.0
2.0
3.0
4.0
VG
ID = 250μA
1K
VCC
DUT
0
L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR3711PBF HEXFET Power MOSFET
IRFU3711PBF HEXFET Power MOSFET
IRFR3711ZPBF Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5.1 to 5.3; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
IRFU3711ZPBF Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5.2 to 5.5; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
IRFR3910PBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU3710Z-701P 功能描述:MOSFET N-CH 100V 42A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU3710ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU3710ZPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POWER DISSIPATION:140W
IRFU3711 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU3711PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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