參數(shù)資料
型號： IRFU4105Z
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vds=55V, Rds(on)=24.5mohm, Id=30A)
中文描述： 功率MOSFET（譏\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 24.5mohm，身份證\u003d 30A條）
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大小： 206K
代理商： IRFU4105Z
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
25
50
75
100
125
150
175
TJ , Junction Temperature (°C)
0
5
10
15
20
25
30
ID
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
RD
ID = 18A
VGS = 10V
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
1.100 0.000174
1.601 0.000552
0.418 0.007193
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
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PDF描述
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