參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU4105Z
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vds=55V, Rds(on)=24.5mohm, Id=30A)
中文描述： 功率MOSFET（譏\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 24.5mohm，身份證\u003d 30A條）
文件頁(yè)數(shù)： 9/11頁(yè)
文件大?。?/td> 206K
代理商： IRFU4105Z
www.irf.com
9
6.73 (.265)
6.35 (.250)
- A -
4
1 2 3
6.22 (.245)
5.97 (.235)
- B -
3X0.64 (.025)
0.25 (.010) M A M B
4.57 (.180)
2.28 (.090)
2X0.76 (.030)
1.52 (.060)
1.15 (.045)
1.02 (.040)
1.64 (.025)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
1.27 (.050)
0.88 (.035)
2.38 (.094)
2.19 (.086)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
6.45 (.245)
5.68 (.224)
0.51 (.020)
MIN.
0.58 (.023)
0.46 (.018)
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
4 - DRAIN
10.42 (.410)
9.40 (.370)
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3 CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-252AA.
4 DIMENSIONS SHOWN ARE BEFORE SOLDER DIP,
SOLDER DIP MAX. +0.16 (.006).
EXAMPLE:
LOT CODE 9U1P
THIS IS AN IRFR120
WITH ASSEMBLY
WEEK = 16
DATE CODE
YEAR = 0
LOGO
RECTIFIER
INTERNATIONAL
ASSEMBLY
LOT CODE
016
1P
IRFU120
9U
Notes: This part marking information applies to devices produced before 02/26/2001
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
34
12
IRFU120
916A
LOT CODE
ASSEMBLY
EXAMPLE:
WITH ASSEMBLY
LOT CODE 1234
THIS IS AN IRFR120
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
DATE CODE
LINE A
IN THE ASSEMBLY LINE "A"
ASSEMBLED ON WW 16, 1999
PART NUMBER
Notes: This part marking information applies to devices produced after 02/26/2001
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR420APBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) max = 3.0ヘ , ID = 3.3A )
IRFU420APBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) max = 3.0ヘ , ID = 3.3A )
IRFR420A SMPS MOSFET
IRFU420A SMPS MOSFET
IRFR420PBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) = 3.0ヘ , ID = 2.4A )
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU4105ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 30A 24.5mOhm 18nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU4105ZPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POWER DISSIPATION:48W
IRFU4105ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU4105ZTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU4105ZTRR 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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