參數(shù)資料
型號: IRFU9N20D
廠商: International Rectifier
元件分類: DC/DC變換器
英文描述: N-Channel SMPS MOSFET,for High Frequency DC-DC Converters(應(yīng)用于高頻 DC-DC轉(zhuǎn)換器的N溝道開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
中文描述: N溝道MOSFET的開關(guān)電源,高頻DC - DC變換器(應(yīng)用于高頻的DC - DC轉(zhuǎn)換器的?溝道開關(guān)模式電源馬鞍山場效應(yīng)管)
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代理商: IRFU9N20D
IRFR9N20D/IRFU9N20D
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
5
10
15
20
25
30
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
5.6A
V
= 40V
DS
V
= 100V
DS
V
= 160V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRFUC20 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFUC20PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFV064 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-258AA 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 45A 3PIN TO-258AA - Bulk
IRFV064D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-258VAR