型號(hào): | IRFU9N20D |
廠商: | International Rectifier |
元件分類(lèi): | DC/DC變換器 |
英文描述: | N-Channel SMPS MOSFET,for High Frequency DC-DC Converters(應(yīng)用于高頻 DC-DC轉(zhuǎn)換器的N溝道開(kāi)關(guān)模式電源MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
中文描述: | N溝道MOSFET的開(kāi)關(guān)電源,高頻DC - DC變換器(應(yīng)用于高頻的DC - DC轉(zhuǎn)換器的?溝道開(kāi)關(guān)模式電源馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管) |
文件頁(yè)數(shù): | 9/10頁(yè) |
文件大?。?/td> | 126K |
代理商: | IRFU9N20D |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFRC20 | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A) |
IRFUC20 | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A) |
IRFRU024N | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A) |
IRFR024N | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFU9N20DPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRFUC20 | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFUC20PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFV064 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-258AA 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 45A 3PIN TO-258AA - Bulk |
IRFV064D | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-258VAR |