參數(shù)資料
型號： IRG4PC40W
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 2.05V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 20A條）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 145K
代理商： IRG4PC40W
4
www.irf.com
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
0
10
20
30
40
50
25
50
75
100
125
150
M
T , Case Temperature (
°
C)
V = 15V
1.0
1.5
2.0
2.5
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (
°
C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
C
V
V = 15V
80μs PULSE WIDTH
A
I = 54A
C
I = 27A
I = 14A
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2
2. Peak T = P x Z + TC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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IRG4PC50FD-EPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V FAST 1-8 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC50FDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V FAST 1-8 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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