參數(shù)資料
型號(hào): IRG4PC40W
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
中文描述: 絕緣柵雙極晶體管(VCES和\u003d 600V電壓的Vce(on)典型.\u003d 2.05V,@和VGE \u003d 15V的,集成電路\u003d 20A條)
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代理商: IRG4PC40W
6
www.irf.com
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
T
R = 10
T = 150
°
C
V = 480V
V = 15V
GE
I , Collector-to-Emitter Current (A)
A
1
10
100
1000
1
10
100
1000
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
SAFE OPERATING AREA
V = 20V
T = 125
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC40F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4PC40FD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4PC40KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A)
IRG4PC40S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A)
IRG4PC40UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE( Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PC40WPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC50F 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PC50FD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PC50FD-EPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V FAST 1-8 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC50FDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V FAST 1-8 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube