型號: | IRG4PC40WPBF |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
中文描述: | 絕緣柵雙極晶體管 |
文件頁數: | 8/9頁 |
文件大?。?/td> | 621K |
代理商: | IRG4PC40WPBF |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IRG4PC40 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A) |
IRG4PC40W | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A) |
IRG4PC40F | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A) |
IRG4PC40FD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A) |
IRG4PC40KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IRG4PC50F | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
IRG4PC50FD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
IRG4PC50FD-EPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V FAST 1-8 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IRG4PC50FDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V FAST 1-8 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IRG4PC50F-E | 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 70.000A TO-247 / IGBT : JA / DISCRE |