參數(shù)資料
型號: IRG4PF40UD
廠商: International Rectifier
英文描述: Fit Rate / Equivalent Device Hours
中文描述: FIT率/等效器件小時(shí)
文件頁數(shù): 13/35頁
文件大小: 112K
代理商: IRG4PF40UD
HIGH TEMPERATURE GATE BIAS (HTGB)
Junction Temperature:
Tj = as specified below
Vc = Ve = 0V
Vg = as specified
N Channel
LOW FREQUENCY ( Standard )
FAILURE RATE @
DEVICE
TYPE
TEMP
GATE
BIAS
AC FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
0
0
DEV-HRS
FITs
(deg C)
(note b)
IRGBC20S
IRGBC40S
9544
9605
20
20
20
20
2.46E+05
2.46E+05
TOTALS
40
0
4.92E+05
N Channel
MID FREQUENCY ( Fast )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
90°C & 60% UCL
@ 90°C
DATE
TEMP
QTY
ACTUAL
TYPE
BIAS
TIME
(hours)
MODE
FITs
(note a)
(V)
IRGBC30F
IRGBC30FD2
IRGBC30FD2
IRGBF30F
150
150
150
150
20
20
20
20
2008 0
2095 0
2007 0
2008 0
3722
3567
3724
3722
TOTALS
8118 0
921
NOTES
b. FAILURE MODES:
I
Quarterly Reliability Report
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PG40FD Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PG40KD Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PG40MD Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PG40SD Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PG40UD Fit Rate / Equivalent Device Hours
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PF50W 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PF50WD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PF50WD-201P 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4PF50WDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 900V Warp 20-100kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PF50WPBF 功能描述:IGBT 晶體管 900V Warp 20-100kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube