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參數(shù)資料
| 型號： | IRG4PF40UD |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| 中文描述： | FIT率/等效器件小時 |
| 文件頁數(shù)： | 9/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 112K |
| 代理商： | IRG4PF40UD |
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HIGH TEMPERATURE REVERSE BIAS (HTRB)
T0247 Package
Junction Temperature :
Applied Bias:
Tj = as specified below
Vge = 0V
Vce = 80% of maximum rated BVces
N Channel
MID FREQUENCY ( Fast )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
90°C & 60% UCL
@ 90°C
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
TEMP VOLTAGE QTY
MAX
AC FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
1080 0
2008 0
MODE
(note b)
FITs
(note a)
(deg C)
(V)
IRGPC30FD2
IRGPC50FD2
9344
9237
150
150
600
600
20
59
2.01E+06
1.10E+07
456
83
TOTALS
79
3088 0
1.30E+07
70
N Channel
HIGH FREQUENCY ( Ultra-Fast )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
90°C & 60% UCL
@ 90°C
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
TEMP VOLTAGE QTY
MAX
AC FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
2008 0
2008 0
1008 0
2030 0
1080 0
1008 0
MODE
(note b)
FITs
(note a)
(deg C)
(V)
IRGPC40U
IRGPC40U
IRGPC40UD2
IRG4PC40UD2
IRGPC50UD2
IRGPH60UD2
9538
9620
9237
9643
9346
9450
150
150
150
150
150
150
600
600
600
600
600
1200
20
20
20
20
20
10
3.73E+06
3.73E+06
1.87E+06
3.78E+06
2.01E+06
9.37E+05
245
245
489
243
456
977
TOTALS
110
9142 0
1.61E+07
57
NOTES
a. One FIT represents one failure in one billion (1.0E+09) hours.
b. FAILURE MODES:
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
Page 9 of 35
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4PG40FD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40KD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40MD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40SD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40UD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4PF50W | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
| IRG4PF50WD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
| IRG4PF50WD-201P | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IRG4PF50WDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 900V Warp 20-100kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4PF50WPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 900V Warp 20-100kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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