參數(shù)資料
型號： IRG4PH30K
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 1200伏，的Vce（on）典型.\u003d 3.10V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 10A條）
文件頁數(shù)： 10/10頁
文件大?。?/td> 212K
代理商： IRG4PH30K
IRG4PH30KD
10
www.irf.com
Dimensions in Millimeters and (Inches)
CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-247AC (TO-3P)
- D -
5.30 (.209)
4.70 (.185)
2.50 (.089)
1.50 (.059)
4
3.65 (.143)
3.55 (.140)
0.25 (.010)
3X
0.80 (.031)
0.40 (.016)
2.60 (.102)
2.20 (.087)
3.40 (.133)
3.00 (.118)
3X
0.25 (.010)
M
C
A
S
4.30 (.170)
3.70 (.145)
- C -
2X
5.50 (.217)
4.50 (.177)
5.50 (.217)
1.40 (.056)
1.00 (.039)
D
M
M
B
- A -
15.90 (.626)
15.30 (.602)
- B -
1
2
3
20.30 (.800)
19.70 (.775)
14.80 (.583)
14.20 (.559)
2.40 (.094)
2.00 (.079)
2X
5.45 (.215)
2X
*
NOTES:
1 DIMENSIONS & TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M , 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3 DIMENSIONS ARE SHOW N
MILLIMETERS (INCHES).
4 CONFORM S TO JEDEC OUTLINE
TO-247AC.
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - COLLECTOR
3 - EMITTER
4 - COLLECTOR
*
LONGER LEADED (20m m )
VERSION AVAILABLE (TO-247AD)
TO PART NUM BER
Case Outline
—
TO-247AC
Notes:
Repetitive rating: V
GE
=20V; pulse width limited by maximum junction temperature
(figure 20)
V
CC
=80%(V
CES
), V
GE
=20V, L=10μH, R
G
= 23
(figure 19)
Pulse width
≤
80μs; duty factor
≤
0.1%.
Pulse width 5.0μs, single shot.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
IR EUROPEAN REGIONAL CENTRE:
439/445 Godstone Rd, Whyteleafe, Surrey CR3 OBL, UK Tel: ++ 44 (0)20 8645 8000
IR CANADA:
15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 (0) 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 011 451 0111
IR JAPAN:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo 171 Tel: 81 (0)3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 (0)838 4630
IR TAIWAN:
16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673 Tel: 886-(0)2 2377 9936
Data and specifications subject to change without notice. 6/00
相關PDF資料
PDF描述
IRG4PH30KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT
IRG4PH40KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.47V, @Vge=15V, Ic=15A)
IRG4PH40UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A)
IRG4PH40KPBF Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4PH40UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIDDE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4PH30KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PH30KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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