參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PH30K
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 1200伏，的Vce（on）典型.\u003d 3.10V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 10A條）
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大小： 212K
代理商： IRG4PH30K
IRG4PH30KD
4
www.irf.com
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
25
50
T , Case Temperature ( C)
75
100
125
°
150
0
5
10
15
20
M
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
T , Junction Temperature ( C)
V
C
V = 15V
80 us PULSE WIDTH
I = A
20
I = A
10
I = A
5
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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PDF描述
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