參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PH30K
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 1200伏，的Vce（on）典型.\u003d 3.10V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 10A條）
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大小： 212K
代理商： IRG4PH30K
IRG4PH30KD
www.irf.com
5
0
10
R , Gate Resistance (Ohm)
R
G
20
30
40
50
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
T
V = 800V
V = 15V
T = 25 C
I = 10A
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
1
10
100
0
200
400
600
800
1000
1200
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
V
I
= 400V
= 10A
CC
C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.1
1
10
100
T , Junction Temperature ( C )
T
R = Ohm
V = 15V
V = 800V
I = A
I = A
10
I = A
5
= 23
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PH30KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT
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IRG4PH40UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A)
IRG4PH40KPBF Short Circuit Rated UltraFast IGBT
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參數(shù)描述
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