參數(shù)資料
型號： IRG4PH40FD
廠商： International Rectifier
英文描述： Fit Rate / Equivalent Device Hours
中文描述： FIT率/等效器件小時
文件頁數(shù)： 12/35頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： IRG4PH40FD
HIGH TEMPERATURE GATE BIAS (HTGB)
Junction Temperature:
Tj = as specified below
Vc = Ve = 0V
Vg = as specified
N Channel
MID FREQUENCY ( Fast )
FAILURE RATE @
90°C & 60% UCL
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
TEMP
GATE
BIAS
QTY
AC FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
2007 0
2088 0
DEV-HRS
@ 90°C
MODE
(note b)
FITs
(note a)
(deg C)
(V)
IRGPF30F
IRGPC50FD2
9642
9237
150
150
20
20
20
20
2.46E+05
2.56E+05
3724
3579
TOTALS
40
4095 0
5.02E+05
1825
N Channel
HIGH FREQUENCY ( Ultra-Fast )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
90°C & 60% UCL
@ 90°C
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
TEMP
GATE
BIAS
QTY
AC FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
2008 0
2008 0
2213 0
2039 0
MODE
(note b)
FITs
(note a)
(deg C)
(V)
IRGPC40U
IRGPC40U
IRG4PC50U
IRG4PC40UD2
9538
9620
9721
9643
150
150
150
150
20
20
20
20
20
20
20
20
2.46E+05
2.46E+05
2.71E+05
2.50E+05
3722
3722
3377
3665
TOTALS
80
8268 0
1.01E+06
904
NOTES
a. One FIT represents one failure in one billion (1.0E+09) hours.
b. FAILURE MODES:
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
Page 12 of 35
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PH40MD Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PF50WDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PF50WPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PF50WD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH30KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PH40K 功能描述:IGBT UFAST 1200V 30A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4PH40KD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PH40KD-E 制造商:International Rectifier 功能描述:1200V 18.000A COPAK 247 / IGBT : JA / DI
IRG4PH40KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PH40K-E 制造商:International Rectifier 功能描述:1200V 30.000A TO-247 / IGBT : JA / DISCR
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