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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRG4PH40SD |
| 廠(chǎng)商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| 中文描述： | FIT率/等效器件小時(shí) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/35頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 112K |
| 代理商： | IRG4PH40SD |
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HIGH TEMPERATURE REVERSE BIAS (HTRB)
T0220 Package
Junction Temperature:
Applied Bias:
Tj = as specified below
Vge = 0V
Vce = 80% of maximum rated BVces
N Channel
LOW FREQUENCY ( Standard )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
90°C & 60% UCL
@ 90°C
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
TEMP
VOLTAGE QTY
MAX
A FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
2008 0
2008 0
MODE
(note b)
FITs
(note a)
(deg C)
(V)
IRGBC20S
IRGBC40S
9544
9606
150
150
600
600
20
20
3.73E+06
3.73E+06
245
245
TOTALS
40
4016 0
7.47E+06
123
N Channel
MID FREQUENCY ( Fast )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
90°C & 60% UCL
@ 90°C
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
TEMP
VOLTAGE QTY
MAX
A FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
2008 0
2007 0
2008 0
MODE
(note b)
FITs
(note a)
(deg C)
(V)
IRGBC30F
IRGNC30FD2
IRGBF30F
9537
9640
9613
150
150
150
600
600
900
20
20
20
3.73E+06
3.73E+06
3.73E+06
245
245
245
TOTALS
60
6023 0
1.12E+07
82
NOTES
a. One FIT represents one failure in one billion (1.0E+09) hours.
b. FAILURE MODES:
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
Page 10 of 35
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGNC30FD2 | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BG40FD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BG40KD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BG40MD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BG40SD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4PH40U | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
| IRG4PH40UD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
| IRG4PH40UD2 | 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRG4PH40UD2-E | 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRG4PH40UD2-EP | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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