參數(shù)資料
型號： IRGP20B120UD
廠商： International Rectifier
英文描述： Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode(帶超快軟恢復(fù)二極管的絕緣柵雙極型晶體管)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管的超快軟恢復(fù)二極管（帶超快軟恢復(fù)二極管的絕緣柵雙極型晶體管）
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大小： 127K
代理商： IRGP20B120UD
IRGP20B120UD-E
www.irf.com
7
Fig.17 - Typical Diode I
RR
vs I
F
Tj=125°C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
10
20
30
40
50
60
I
F
(A)
I
R
Rg=5
Rg=10
Rg=22
Rg=51
Fig.19 - Typical Diode I
RR
vs dI
F
/dt
V
CC
=600V; V
GE
=15V
I
F
=20A; Tj=125°C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
200
400
dI
F
/ dt (A/μs)
600
800
1000
1200
I
R
Rg=22
Rg=51
Rg=10
Rg=5
Fig.18 - Typical Diode I
RR
vs Rg
Tj=125°C; I
F
=20A
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
5
10
15
20
Rg (ohms)
25
30
35
40
45
50
55
I
R
Fig.20 - Typical Diode Q
RR
V
CC
=600V; V
GE
=15V; Tj=125°C
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
6500
7000
0
200
400
dI
F
/ dt (A/μs)
600
800
1000
1200
Q
R
51
22
10
5
50A
40A
30A
25A
20A
10A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGP30B120KD-E Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode(帶超快軟恢復(fù)的絕緣柵雙極型晶體管,應(yīng)用于電機(jī)控制)
IRGP4068D-EPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS
IRGP4068DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS
IRGP50B60PDPBF WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGPC20F Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(快速絕緣柵型雙極型晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGP20B120UD-E 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP20B120UD-EP 功能描述:IGBT 晶體管 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP20B120UD-EP 制造商:International Rectifier 功能描述:; MOUNTING TYPE:THROUGH HOLE; PACKAGE/CA
IRGP20B120U-E 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT, 1.2KV, 40A, Transistor Type:IGBT, DC Collector Current:40A, Collect
IRGP20B120U-EP 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 5-40kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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