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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRGPC50M |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 絕緣門雙極晶體管（IGBTs）（短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 109K |
| 代理商： | IRGPC50M |
C-332
Fig. 5
- Collector-to-Emitter Voltage vs.
Case Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs.
Case Temperature
IRGPC50M
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
0
10
20
30
40
50
60
25
50
75
100
125
150
M
T , Case Temperature (°C)
V = 15V
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
-60
-40
-20
T , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120 140
160
C
V
I = 70A
I = 35A
I = 17A
V = 15V
80μs PULSE WIDTH
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERM AL RESPONSE)
T
P
t
2
1
t
D M
Notes:
1. Duty factor D = t1
2
2. Peak T = P x Z + TC
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PDF描述 |
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