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參數(shù)資料
| 型號： | IRGPC50S |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(標準速度絕緣柵型雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 絕緣門雙極晶體管（IGBTs）（標準速度絕緣柵型雙極型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | IRGPC50S |
C-37
IRGPC50S
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Case Temperature
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
1
10
100
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
ies
C
res
C
oes
15
16
17
18
19
20
21
0
10
R , Gate Resistance ( )
20
30
40
50
T
W
V = 480V
V = 15V
T = 25°C
I = 41A
1
10
100
-60
-40
-20
T , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120 140
160
T
I = 82A
I = 41A
I = 21A
R = 2.0
V = 15V
V = 480V
0
4
8
12
16
20
0
25
Q , Total Gate Charge (nC)
50
75
100
125
G
V
V = 480V
I = 41A
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PDF描述 |
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