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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRGPC50S |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(標(biāo)準(zhǔn)速度絕緣柵型雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 絕緣門(mén)雙極晶體管（IGBTs）（標(biāo)準(zhǔn)速度絕緣柵型雙極型晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 108K |
| 代理商： | IRGPC50S |
C-38
IRGPC50S
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
0
10
20
30
40
50
60
0
20
40
60
80
100
T
I , C ollector-to-Em itter Current (A)
R = 2.0
T = 150°C
V = 480V
V = 15V
1
10
100
1
10
100
1000
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
V = 20V
T = 125°C
SAFE OPERATING AREA
Refer to Section D for the following:
Appendix C: Section D - page D-5
Fig. 13a - Clamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 13b - Pulsed Collector Current Test Circuit
Fig. 14a - Switching Loss Test Circuit
Fig. 14b - Switching Loss Waveform
Package Outline 3
- JEDEC Outline TO-247AC (TO-3P)
Section D - page D-13
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| IRGPH30MD2 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=9.0A) |
| IRGPH40F | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=17A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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