參數(shù)資料
型號： IRGPF40F
廠商： International Rectifier
英文描述： Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(快速絕緣柵型雙極型晶體管)
中文描述： 絕緣門雙極晶體管（IGBTs）（快速絕緣柵型雙極型晶體管）
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 108K
代理商： IRGPF40F
C-264
Fig. 5
- Collector-to-Emitter Voltage vs.
Case Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs.
Case Temperature
IRGPF40F
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
0
10
20
30
40
25
50
75
100
125
150
M
T , Case Temperature (°C)
V = 15V
2.0
3.0
4.0
5.0
-60
-40
-20
T , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120 140 160
C
V
V = 15V
80μs PULSE WIDTH
I = 34A
I = 17A
I = 8.5A
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2
2. Peak T = P x Z + TC
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