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參數(shù)資料
| 型號： | IRH8054 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 60Volt, 0.025Ω, MEGA RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(60V, 0.025Ω, MEGA抗輻射 HEXFET 晶體管) |
| 中文描述： | 60Volt，0.025Ω，美佳RAD數(shù)據(jù)通信硬的HEXFET晶體管（60V的，0.025Ω，美佳抗輻射的HEXFET晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 146K |
| 代理商： | IRH8054 |
www.irf.com
7
IRH7054, IRH8054 Devices
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig13a.
Basic Gate Charge Waveform
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
16A
22A
35A
TOP
BOTTOM
Pre-Irradiation
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
12 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRH7250SE | 200Volt, 0.10Ω, MEGA RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(200V, 0.10Ω, MEGA抗輻射 HEXFET 晶體管) |
| IRH8250 | LED, ULTRA BRIGHT GREEN T/H |
| IRH7250 | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR |
| IRH93250 | P-Channel, -200 Volt, 0.315 Ω, RAD HARD HEXFET(P 溝道,-200 V,0.315 Ω,抗輻射 HEXFET晶體管) |
| IRHE3130 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFCACE MOUNT(LCC-18) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRH8130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRH8150 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRH8230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRH8250 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRH8450 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
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