參數(shù)資料
型號(hào): IRHM7160
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管)
中文描述: 的HEXFET晶體管(之HEXFET晶體管)
文件頁數(shù): 4/8頁
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代理商: IRHM7160
IRHM7160, IRHM8160 Devices
Pre-Irradiation
4
www.irf.com
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
10
100
1000
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
1
10
100
1000
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
1
10
100
1000
5
6
V , Gate-to-Source Voltage (V)
7
8
9
10
11
12
VDS
20μs PULSE WIDTH
I
D
T = 25 C
T = 150 C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
12V
50A
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PDF描述
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