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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHM7160 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶體管（之HEXFET晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | IRHM7160 |
IRHM7160, IRHM8160 Devices
www.irf.com
7
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
9.8A
14A
22A
TOP
BOTTOM
Pre-Irradiation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHM9130 | P-Channel RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(P 溝道 Rad Hard 技術(shù) HEXFET晶體管) |
| IRHM93160 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| IRHMS57264SE | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA) 250V, N-CHANNEL |
| IRHMS593160 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA) |
| IRHMS597160 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHM7160D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM7160U | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM7230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHM7230D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM7230U | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-254VAR |
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